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常見LED芯片的特點分析

常見LED芯片的特點分析

  • 分類:公司新聞
  • 作者:
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  • 發布時間:2017-12-25 11:49
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【概要描述】常見LED芯片的特點分析常見LED芯片的特點分析:一、MB芯片  定義:lBONding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品?! √攸c:  1:采用高散熱系數的材料---Si作為襯底、散熱容易?! ?:通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收?! ?:導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍),更適應于高驅動電流領域?! ?:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱  5:尺寸可加大、應用于Highpower領域、eg:42milMB  二、GB芯片  定義:GlueBonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品  特點:  1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS(AbsorbableSTructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底?! ?:芯片四面發光、具有出色的Pattern  3:亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)  4:雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片  三、TS芯片  定義:transparentstructure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP的專利產品?! √攸c:  1:芯片工藝制作復雜、遠高于ASLED  2:信賴性  3:透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高  4:應用廣泛  四、AS芯片  定義:Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;  經過近四十年的發展努力、臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大?! 〈箨懶酒圃鞓I起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等  特點:  1:四元芯片、采用MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮  2:信賴性優良  3:應用廣泛

常見LED芯片的特點分析

【概要描述】常見LED芯片的特點分析常見LED芯片的特點分析:一、MB芯片  定義:lBONding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品?! √攸c:  1:采用高散熱系數的材料---Si作為襯底、散熱容易?! ?:通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收?! ?:導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍),更適應于高驅動電流領域?! ?:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱  5:尺寸可加大、應用于Highpower領域、eg:42milMB  二、GB芯片  定義:GlueBonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品  特點:  1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS(AbsorbableSTructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底?! ?:芯片四面發光、具有出色的Pattern  3:亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)  4:雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片  三、TS芯片  定義:transparentstructure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP的專利產品?! √攸c:  1:芯片工藝制作復雜、遠高于ASLED  2:信賴性  3:透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高  4:應用廣泛  四、AS芯片  定義:Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;  經過近四十年的發展努力、臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大?! 〈箨懶酒圃鞓I起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等  特點:  1:四元芯片、采用MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮  2:信賴性優良  3:應用廣泛

  • 分類:公司新聞
  • 作者:
  • 來源:
  • 發布時間:2017-12-25 11:49
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詳情
常見LED芯片的特點分析常見LED芯片的特點分析:
一、MB 芯片
  定義:l BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品。
  特點:
  1:采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底、散熱容易。
  2:通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。
  3: 導電的Si 襯底取代GaAs 襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍),更適應于高驅動電流領域。
  4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
  5: 尺寸可加大、應用于High power 領域、eg : 42mil MB
  二、GB芯片
  定義:Glue Bonding (粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品
  特點:
  1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
  2:芯片四面發光、具有出色的Pattern
  3:亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)
  4:雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
  三、TS芯片
  定義:transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產品。
  特點:
  1:芯片工藝制作復雜、遠高于AS LED
  2:信賴性
  3:透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
  4:應用廣泛
  四、AS芯片
  定義:Absorbable structure (吸收襯底)芯片;
  經過近四十年的發展努力、臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大。
  大陸芯片制造業起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
  特點:
  1:四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮
  2:信賴性優良
  3:應用廣泛
光環

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SHARP

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